Hynix утверждает, что, работая на частоте 185 Мгц, чип характеризуется пропускной способностью данных до 1,5 Гбайт/с при условии работы в 32-битном режиме. С помощью технологий, снижающих энергопотребление чипа, удалось добиться снижения энергозатрат почти на 50%, что так необходимо для широкого диапазона мобильных приложений. Среди особенностей чипа особо выделяются такие технологии как TCSR (temperature compensated self refresh), PASR (partial array self refresh) и DPD (deep power down). Если в течение долгого периода к модулю памяти не поступает никаких запросов на чтение/запись, то активируется режим DPD, который значительно уменьшает расход энергии. С помощью TCSR чип способен подстраивать частоту обновления в зависимости от изменения своей температуры. Режим работы памяти PASR также призван сократить энергопотребление.

В ближайших планах Hynix значится выпуск интегрированных решений типа multi-chip package (MCP) или package-on-package (PoP) на базе нового чипа. Ожидается, что на одной микросхеме будут соседствовать память сразу двух типов – DDR SDRAM и NAND Flash. По мнению производителей, интегрированные чипы PoP – это идеальное решение на сегодняшний день для мобильников, цифровых камер и MP3-плееров.